MOS管为什么一般选择P型作为衬底而不是N型? 做开关电路用P型MOS管好?还是用N型MOS管好?

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MOS管为什么一般选择P型作为衬底而不是N型? 做开关电路用P型MOS管好?还是用N型MOS管好? p型mos管理论上,P衬底或N衬底都可以。 实际上,自由电子的迁移率是空穴的三倍,因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话,通过电流能力要强得多。另外,从控制角度而言,NMOS可以用正电压开启,使用起来比较方便,而PMOS需要用到负电压,理论上,P衬底或N衬底都可以。 实际上,自由电子的迁移率是空穴的三倍,因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话,通过电流能力要强得多。另外,从控制角度而言,NMOS可以用正电压开启,使用起来比较方便,而PMOS需要用到负电压,

mos管的N型和P型有什么区别?

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但

mos场效应管p型和n型如何区分?

MOS场效应管分J型,增强型,耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体,P沟道是P型半导体,然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。 mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有极高的输入电阻。 结型场效应管在栅极与

P型MOS管的导通条件是什么?

是不是 uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压P型MOS管的导通条件: 靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。

用P型MOS管驱动负载好还是N型MOS管?

我准备用51单片机做一个舞台灯光,经测试电流最大时达12A,请问用P型MOSN-MOSFET好,N型半导体的载流子迁移率差不多是同型P沟道的3倍,这就意味着其导电能力更强。市面上,绝大部分都是增强型N-MOSFET,P沟道不仅贵而且也相对难找,从应用的角度也是,N沟道正电压就可以导通,P沟道还得用负电压,太麻烦了。 你的电流

两个P型MOS管反向串联,也就是两个S极连在一起,这...

这个电路一般是5v和锂电池电源之间切换用的。如果用二极管隔开两个电源,压降太大。所以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问题,就是内部集成了一个续流二极管,你分析一下电路就知道了,如果只用一个pmos的话,5v的电压会经过mos管直接流进

做开关电路用P型MOS管好?还是用N型MOS管好?

切断正极用P管,切断负极用N管。这样控制电路比较简单

P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS...

P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通?P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情: 当栅极(G)的电压比漏极的电压(D)小5V以上(有的管子可以更低),管子就开始导通,压差越大,G和S(源极)之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大。 还有一件事情就是G和S之间的最大耐压,

MOS管为什么一般选择P型作为衬底而不是N型?

理论上,P衬底或N衬底都可以。 实际上,自由电子的迁移率是空穴的三倍,因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话,通过电流能力要强得多。另外,从控制角度而言,NMOS可以用正电压开启,使用起来比较方便,而PMOS需要用到负电压,

求P型MOS管型号

本人想找一些P型MOS管型号,以及参数,不要网站。详细的补加20分!场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,02A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,56A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,92A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A

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